Рефераты по Физике

Оптроны и их применение

Страница 5

4. Ток поверхностных утечек Iпов, обусловленный отличием свойств поверхности полупроводника от свойств объема и наличием тех или иных закорачивающих включений.

Эффективность р - n-перехода характеризуется коэффициентом инжекции:

(2.5) Смотрите информацию земельный участок в ипотеку у нас на сайте.

Очевидно, что пределы возможного изменения g те же, что и у hint, т. е. 0 g 100%.

При выводе излучения из области генерации имеют место следующие виды потерь энергии (рис. 2.2,6):

1. Потери на самопоглощение (лучи 1). Если длина волны генерируемых квантов в точности соответствует формуле (2.4), то она совпадает с “красной границей” поглощения (см. ниже), и такое излучение быстро поглощается в толще полупроводника (самопоглощение).В действительности, излучение в прямозонных полупроводниках идет не по приведенной выше идеальной, схеме. Поэтому длина волны генерируемых квантов несколько больше, чем по (2.4):

2. Потери на полное внутреннее отражение (лучи 2).Известно, что при падении лучей света на границу раздела оптически плотной среды (полупроводник) с оптически менее плотной (воздух) для части этих лучей выполняется условие полного внутреннего отражения такие лучи, отразившиеся внутрь кристалла, в конечном счете теряются за счет самопоглощения.

3. Потери на обратное и торцевое излучение (луч 3 и 4).

Количественно эффективность вывода оптической энергии из кристалла характеризуется коэффициентом вывода Копт определяемым отношением мощности излучения, выходящего в нужном направлении, к мощности излучения, генерируемой внутри кристалла. Так же, как и для коэффициентов hint и g , всегда выполняется условие 0 Копт 100%.

Интегральным показателем излучеательной способности светодиода является величина внешнего квантового выхода hext. Из сказанного ясно, что hext= hint g Копт.

Перейдем к приемному блоку. Принцип действия используемых в оптронах фотприемников основан на внутреннем фотоэффекте , заключающемся в отрыве электронов от атомов внутри тела под действием электромагнитного (оптического) излучения.

Кванты света, поглощаясь в кристалле, могут вызывать отрыв электронов от атомов как самого полупроводника, так и примеси. В соответствии с этим говорят о собственном (беспримесном) и примесном поглощении (фотоэффекте). Поскольку концентрация примесных атомов мала, фотоэлектрические эффекты, основанные на собственном поглощении, всегда существеннее, чем основанные на примесном. Все используемые в оптронах фотоприемники “работают” на беспримесном фотоэффекте. Для того чтобы квант света вызывал отрыв электрона от атома, необходимо выполнение очевидных энергетических соотношений:

Eф1=hn1Ec-Ev (2.6)

Eф2=hn2Ec-Et (2.7)

Таким образом, собственный фотоэффект может иметь место лишь при воздействии на полупроводник излучения с длиной волны, меньшей некоторого значения lгр:

lгр=hc/( Ec-Ev)1.23/ Eg (2.8)

Второе равенство в (2.8) справедливо, если lгр выражено в микрометрах, а ширина запрещенной зоны полупроводника Eg - в электроновольтах. Величину lгр называют длинноволновой или “красной” границей спектральной чувствительности материала.

Интенсивность протекания фотоэффекта (в той спектральной области, где он может существовать) зависит от квантового выхода, определяемого отношением числа генерированных пар электрон-дырка к числу поглощенны фотонов. Анализ экспериментальных зависимостей от показывает, что в интересной для оптронов спектральной области b=1.

Образование свободных носителей заряда под действием облучения проявляется в полупроводнике в виде двух фотоэлектрических эффектов: фотопроводимости (возрастание проводимости образца при засветке) и фотовольтаического (возникновение фото-ЭДС на р - n-переходе или другом виде потенциального барьера в полупроводнике при освещении). Оба эффекта используются в практике конструирования фотоприемников; для оптронов предпочтительным и доминирующим является использование фото-ЭДС-эффекта.

Основные параметры и характеристики фотоприемников (безотносительно к физической природе и конструкции этих приборов) можно подразделить на несколько групп , К оптическим характеристикам относятся площадь фоточувствительной поверхности, материал, размеры и конфигурация оптического окна; максимальный и минимальный уровни мощности излучения. К электрооптическим - фоточувствительность, степень однородности распределения чувствительности по фотоприемной площадке; спектральная плотность чувствительности (зависимость параметра, характеризующего чувствительность, от длины волны); собственные шумы фотоприемника и их зависимость от уровня засветки и диапазона рабочих частот; разрешающее время (быстродействие); коэффициент качества (комбинированный показатель, позволяющий сопоставлять различные фотоприемники друг с другом); показатель линейности; динамический диапазон. Как элемент электрической цепи фотоприемник характеризуется прежде всего параметрами его эквивалентной схемы, требованиями к рабочим режимам, наличием (или отсутствием) встроенного механизма усиления, видом и формой выходного сигнала. Прочие характеристики: эксплуатационные, надежностные, габаритные, технологические - ничего специфически “фотоприемното” не содержат.

В зависимости от характера выходного сигнала (напряжение, ток) говорят о вольтовой или токовой фоточувствительности приемника S, измеряемых соответственно в В/Вт или А/Вт. Линейность (или нелинейность) фотоприемника определяется значением показателя степени n в уравнении, связывающем выходной сигнал с входным: Uвых( или Iвых)~Pф. При n1 фотоприемник линеен; область значений Pф(от Pф max до Pф min), в которой это выполняется, определяет динамический диапазон линейности фотоприемника , выражаемый обычно в децибелах: =10 lg(Pф max /Pф min).

Перейти на страницу:  1  2  3  4  5  6  7  8  9