Транзисторы - Курсовая работа
Своеобразная форма и изменение объёма обеднённой области канала обусловлены тем, что канал транзистора делается из материала с малой концентрацией примеси, высокоомного, тогда как затвор – из материала с большой концентрацией примеси, низкоомного. Поэтому слой обеднённый подвижными носителями заряда, распространяется в область канала, расширяясь по направлению к стоку. Последнее объесняется тем, что величина запирающего напряжения для p – n перехода полевого транзистора возрастает с увеличением расстояния от истока и имеет максимальную величину у стокового конца. Связано это с влиянием дополнительного падения напряжения в канале при прохождении через него тока стока. Отсюда характерная форма обеднённого слоя на участке вблизи стока, вследствие чего ток стока может протекать только через ту часть канала, где ещё присутствуют основные носители заряда.
На рис. 2 изображена зависимость проходного сечения канала полевого транзистора с p – n переходом от напряжения смещения между затвором и истоком (а) и истоком и стоком (б). Как видно из рис.26, а, увеличение
Затвор Сток
 | |||||||
 | |||||||
 | | ||||||
Область, обеднённая
носителями
Канал зарядов Канал
а б
Рис. 2. Зависимость профиля проходного сечения полевого транзистора с p – n переходом от напряжения смещения между затвором и истоком (а) и истоком и стоком (б)
Напряжения смещения перехода приводит к расширению области обеднённого слоя. Увеличение же напряжения питания, подаваемого между стоком и истоком, согласно рис.2, б, наоборот, сжимает её, делая клиновидной. И если первый фактор способствует уменьшению тока, то второй – его увеличению.
3,0 3,5 
I II 
III
Перейти на страницу: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13