Электрон в потенциальной яме. Туннельный эффект
Заключение
Заканчивая реферат, остается лишь указать на другие физические явления, в которых реализуется туннельный эффект. Туннельный эффект определяет процесс миграции валентных электронов в кристаллической решетке твердых тел. Туннельный эффект лежит в основе эффекта Джозефсона - протекания сверхпроводящего тока между двумя сверхпроводниками через экстремально тонкую прослойку из диэлектрика. Рассмотрена взаимосвязь межмолекулярных потенциалов и спектров для молекулярных систем. Кратко представлены методы расчета колебательно-вращательных спектров с учетом процессов туннелирования и детально проиллюстрированы на примере комплекса Ar-СН4, димера и тримера Н20. Представлен также обзор последних теоретических и экспериментальных исследований в рамках затронутой проблемы для целого ряда других комплексных систем. [32],[33],[34] Из приведенного материала видно, что туннельный эффект играет существенную роль в самых различных областях физики и техники. В 1986 году советскими учёными К.К. Лихаревым и Д.В. Авериным, изучавшими одноэлектронное туннелирование, был предложен, а позже и опробован одноэлектронный транзистор на эффекте кулоновской блокады. [35]
Однако наиболее широкий интерес к туннельному эффекту обусловлен тем, что это принципиально квантово-механический эффект, не имеющий аналога в классической механике. Своим существованием туннельный эффект подтверждает основополагающее положение квантовой механики - корпускулярно-волновой дуализм свойств элементарных частиц. [36]
Список использованной литературы:
1. Матвеев А.Н. Оптика. М.: Высш. шк., 1985. ¦ 16-18.
2. Блохинцев Д.И. Основы квантовой механики. М.: Наука, 1976. Гл. XVI.
3. Делоне Н.Б. Возмущение атомного спектра в переменном электромагнитном поле // Соросовский Образовательный Журнал. 1998. № 5. С. 90-95.
4. Келдыш Л.В. // ЖЭТФ. 1964. Т. 47. С. 1945.
5. Делоне Н.Б., Крайнов В.П. // Успехи физ. наук. 1998. Т. 168. С. 531.
СПИСОК УСЛОВНЫХ СОКРАЩЕНИЙ
СТМ - сканирующий туннельный микроскоп
ТД - туннельный диод
АСМ - атомно-силовые микроскопы
ПРИЛОЖЕНИЕ
График потенциальной энергии электрона под действием
сильного внешнего электрического поля
 |
Рис. 3.1.1
Квантовые транзисторы
Рис 3.2.1
Квантовые транзисторы
Рис 3.2.2
Рис 3.3.1
Рис 3.3.2
Рис 3.3.3
Таблица 3.3.1.
В таблице даны названия поддиапазонов СВЧ-диапазона и соответствующие им полосы частот
Перейти на страницу: 1 2 3 4 5