Общая Физика
®
I
I a
® a1 ®
dl1(X)FЛ dl2(*) FЛ ®
® a2 B
I
dF1 = I dl1B sina1 = IB dh
dF2 = I dl2B sina2 = IB dh
dM = dF*a = Iba dh = IB dS
M = ISB = PMB
® ® ®
M = [PM B]
dA = M da = PMB sina da
dA = dWp
A = Wp = 0òaM da = -PMB cosa + const – потенциальная энергия контура с током в магнитном поле.
a = p/2 ® Wp = const = 0
Wp = -PMB cosa = -(PM B)
41. Работа по перемещению контура с током в магнитном поле:
®
I
®
+ I
l
¾ ® FA
(X) B
 |
®
I dx
dA = FA dx = IB (l dx) = IB dS = I dФ;
dФ – поток магнитной индукции, пересекаемый проводником.
Если В (вектор) не ^ контуру, то
dA = Ibl cosa dx = IBn dS = I dФ, т.к.
dФ = B dS = B cosa dS = Bn dS
На совершение работы идет ресурс источника тока, его ЭДС.
Индукционный поток направлен противоположно току I.
1 2
® ®
I I
ФН ® Ф0 ФК
(X) B
2 2
A1 = I (ФН – Ф0)
А2 = I (Ф0 – ФK) (?)
A = A1 + A2 = I (ФК – ФН) = I DФ.
®
I
®
(X) B
A = -IBS – IBS = -2IBS.
42. Магнитное поле в веществе:
Первоначально поле в вещ-ве рассматривалось как поле от микротоков.
Движение зарядов обуславливает магнитный момент и они рассматриваются как некая система.
® ® ®
B = B0 + B’.
Введем вектор, характеризующий магнитные св-ва и связанный с (i=1åNPMi)/DV:
®
J = (i=1åNPMi)/DV
[ J ] = A/м;
J = c H, где c - магнитная восприимчивость.
cУД = c/r = [м 3/кг], где r - плотность вещ – ва.
cМОЛ = c*nКмоль [м3/Кмоль].
44. Описание магнитного поля в магнетике:
Существует 3 класса магнетиков:
1) Диамагнетики (cМОЛ < 0, 10¾7¸10¾8 (м3/Кмоль));
2) Парамагнетики (cМОЛ > 0, 10¾6¸10¾7 (м3/Кмоль));
3) Ферромагнетики (cМОЛ < 0, 103¸104 (м3/Кмоль)).
Электрическое поле в веществе может только ослабляться. В магнитном поле оно либо усиливается, либо ослабляется.
® ® ® ® ®
H = B/m0 – J = B/m0 - cH
® ®
H(1 + c) = B/m0
® ®
H = B/(m0m); m = 1 + c.
Внесем в магнитное моле магнетик:
®
B0
(X)(X)
(X)(X)
(X)(X) B’
 |
dl микротоки
® ® ®
B = B0 + B’
B’ = m0*Il
dPM = Il*S*dl
dPM/dV = J = Il
® ® ®
B = B0 + m0J
® ® ® ® ®
H = B/m0 – J = B0/m0 = H0 (теоретически)
® ® ®
H = H0 – H0, где Н0 – размагничивающее поле;
® ®
H0 = N*J (фактор размагничивания)
N = 1 для тонкого диска;
N = 1/3 для шарика.
Если однородный магнетик помещается во внешнее однородное поле, то внутреннее поле магнетика так – же будет однородным.
Перейти на страницу: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21