Учебник по физике для поступающих в ВУЗ
При низких температурах полупроводник ведет себя как диэлектрик, его удельное сопротивление очень велико. По мере повышения температуры удельное сопротивление быстро уменьшается.
При нагревании полупроводника кинетическая энергия валентных электронов повышается и наступает разрыв отдельных связей. Некоторые электроны покидают свои проторенные пути и станов свободными, подобно электронам в металле. защита покупателейгарантия в Спортмастере отзывы вся информация на t.me
В электрическом поле они перемещаются между узлами решетки образуя электрический ток.
При повышении температуры число разорванных валентных связей, а значит и свободных электронов, увеличивается. Это ведет к уменьшению сопротивления полупроводника.
Собственная проводимость – это проводимость чистых полупроводников.
Она обычно невелика, так как мало число свободных электронов. Число свободных электронов составляет одну десятимиллиардную часть от общего числа.
Различают два вида собственной проводимости полупроводников: электронную и дырочную.
Электронная проводимость – проводимость полупроводника, обусловленная наличием у них свободных электронов.
Дырочная проводимость – проводимость полупроводников, обусловленная упорядоченным перемещением дырок.
Механизм электронной и дырочной проводимости: в отсутствии внешнего поля имеется 1 электрон (-) и 1 дырка (+). При наложении поля происходит перемещение электронов. Свободные электр смещаются против напряженности поля. В этом направлении перемещается также один из связанных электронов. Образуется дырка, которая перемещается по всему кристаллу.
Примесная проводимость – дополнительная проводимость существующая наряду с собственной, обуславливаемая наличием примесей в полупроводнике.
Дозированное введение в чистый полупроводник примесей позволяет целенаправленно менять его проводимость.
Существуют донорные и акцепторные примеси.
Донорная примеси – это примеси, легко отдающие электроны, и следовательно, увеличивающие число свободных электронов. Поскольку полупроводник, имеющий донорные примеси обладают большим числом электр, их называют полупроводниками n-типа.
Донорная примесь — это примесь с большей валентностью.
При добавлении донорной примеси в полупроводнике образуются лишние электроны. Проводимость станет электронной, а полупроводник называют полупроводником n-типа.
Полупроводники с донорной примесью называют полупроводниками n-типа (лат. negativus – отрицательный), так как они обладают преимущественно электронной проводимостью.
В полупроводниках n-типа электрон является основным носителем заряда, а дырки – не основным.
Например, для кремния Si с валентностью n = 4 донорной примесью является мышьяк As с валентностью n = 5. Каждый атом примеси мышьяка приведет к образованию одного электрона проводимости.
Акцепторные примеси – это принимающие примеси.
Акцепторная примесь — это примесь с меньшей валентностью.
При добавлении такой примеси в полупроводнике образуется лишнее количество «дырок». Проводимость будет «дырочной», а полупроводник называют полупроводником
p-типа.
Полупроводники с акцепторной примесью называют полупроводниками p-типа (лат. positivus – положительный), так как они обладают преимущественно дырочной проводимостью.
Основными носителями заряда в полупроводниках p-типа являются дырки, а электроны – не основными.
Например, для кремния акцепторной примесью является индий с валентностью n = 3. Каждый атом индия приведет к образованию лишней «дырки».
Электропроводность полупроводника нелинейно зависит от температуры, так как с повышением температуры возрастает число разрывов ковалентных связей и увеличивается количество свободных электронов.
Кроме нагрев разрыв ковалентных связей может быть вызван освещением или облучением (фотопроводимость полупроводников).
Терморезисторы используются для измерения температуры по силе тока в цепи с полупроводником. Терморезисторы применяются для дистанционного измерения температуры, противопожарной сигнализации и т.д.
Фоторезисторы – приборы, в которых использован фотоэлектрический эффект.
СВОБОДНАЯ И ПРИМЕСНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
См.выше «Проводимость полупроводников»
P-N ПЕРЕХОД
При изготовлении большинства полупроводниковых приборов используются кристаллы, в которых создаются области p и n типа. Механизм действия таких приборов основан на особых свойствах контакта между этими областями, называемого электронно-дырочным переходом.
Электронно-дырочным переходом называется контакт двух полупроводников n и p – типов.
(p – positivus –положительный, n – negativus - отрицательный)
Характерной особенностью p-n-перехода является его односторонняя проводимость: он пропускает ток практически только в одном направлении (от полупроводника p-типа к полупроводнику n-типа)
Создать p-n переход путем механического соединения полупроводников с различными типами проводимости не удается, так как при этом получается слишком большой зазор между ними. Толщина p-n перехода должна быть не больше межатомных расстояний.
p-n-переход изготавливают путем сплавления полупроводников.
Вследствие диффузии атомов индия в монокристалл германия у поверхности германия образуется область с проводимостью p-типа. Остальная часть кристалла германия, в которую атомы германия не проникли, по прежнему имеет n-проводимость. Между двумя областями с проводимостями различных типов возникает p-n переход.
В этом переходе образуется объемный слой, обедненный носителями заряда. Его образование объясняется диффузией. Концентрация дырок в p области велика, а в n-области относительно мала. В результате существует диффузионный поток дырок из p в n-область. Аналогично существует поток электронов в обратном направлении.
Электроны и дырки рекомбинируют. Концентрация основных носителей заряда в контактном слое оказывается уменьшенной.
Перейти на страницу: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100